Mu-metal Permalloy 磁屏蔽

磁場干擾來源

☆Alternating Current Magnetic Field/因電系統引起之干擾

常見的低頻（60H z）電磁干擾源

• 電力配電設備 如變壓器、電容器、配電盤、UPS等。
• 電力引進（輸入）電纜。
• 輸出電纜－分配到樓層電力配線電纜、同層問電力配線電纜及各項配電設施。
• 馬達、電動機、發電機、變頻器控制系統、動力系統其、其他電機等。

☆Drift in the Direct Current Magnetic Field/因金屬物件運動引起的磁場擾動

直流漂移磁場的電磁干擾源

磁屏蔽 facilities：TEM、SEM、FIB、E-Beam等

FIB SEM為例受磁場干擾說明

電磁屏蔽動機

隨著奈米時代之來臨，半導體製程與檢測技術亦須達到奈米等級，電子束微影機(EBL)與電子微鏡(TEM、SEM) 是不可或缺的兩大類設備，其原理為射出直徑極小之電子束，藉由磁場控制以達到解析度達10奈米以下甚至3~1奈米的製程或檢測。

由此可知，環境之雜散磁場(stray field)對此類設備的干擾比次微米更為嚴重，此類設備之供應商在設備進駐無塵室前，皆嚴格要求環境磁場規格，交變磁場與直流漂移磁場某些精密機台更要求至 1mG 以下 (100nT~20nT P-P)。

故在籌建無塵室之前，必須先對預定空間做磁場監測，找到符合規格地點，未雨綢繆迎接新奈米時代對環境磁場嚴格要求的規格能找到≦0.5mG P-P的場地事實上並不容易。

然而在廠房正式運作之後，各個機台、相關電源、附屬設備等等都會再產生磁場，以至雜散磁場又不符合規格，造成生產或品管之嚴重失誤，此時遷移設備或被動式屏蔽皆耗時耗材耗工。

一旦地點不符合，且一定要在當地建廠，其萬無一失的解決方法只能先預設做被動式磁場屏蔽(passive shielding)設施，對場源或被屏空間磁場予以高導磁坡莫合金(Mu-metal Permalloy)材料屏蔽，若未來環境磁場改變或提升解析度更新設備時可以對機台做主動式屏蔽(active shielding)輔助。

一般國外的主動式屏蔽只在待屏區域(如TEM、SEM、E-Beam腔體)附近置放一個磁場感測器，並以均勻磁場模式抵消環境磁場，有些則在他處另置一感測器，以做為參考。實際上環境雜散磁場多為空間不均勻分布，且磁場之振幅與主頻率隨時在變化，主動式反饋電路與軟體若頻寬不足，若未針對這些特性作即時性、梯度式補償，往往可能達不到預期功效。因此為滿足需求在籌建無塵室時須先期建設高導磁坡莫合金(Mu-metal Permalloy) 材料被動屏蔽，為本先期提升妥善度的動機。

☆主被動式屏蔽達成符合環磁屏蔽要規格

☆純被動式屏蔽達成符合環磁屏蔽要規格

After discussions with the original Provide information to Vender as a further evaluation purposes.

• Measured Data
• Facility環境磁場規格
• 提供相關資料給我們作為初步Proposal&Quotation及進一步施工計畫目的用。